Struttura u Prinċipju ta 'Ħidma tat-Transistor Bipolar Junction

Transistor tal-Ġonta Bipolari huwa komponent semikonduttur komuni magħmul minn materjali semikondutturi ta 'tliet saffi. Għandha żewġ junctions tal-PN, tliet pinnijiet, u tliet reġjuni. Is-saff tan-nofs jissejjaħ reġjun bażi. Tista 'tuża multimetru biex tiddetermina tip, pin, u materjal tat-transistor. Pereżempju, il-vultaġġ fil-Ground tat-tliet pin tat-transistor imkejjel b'vultaġġ DC ta 'multimetru fajl huwa U 1 = 2 V, U 2 = 6 V, U 3 = 2. 7 V, li minnu jista 'jiġi ġġudikat li t-tip ta' transistor huwa NPN, u li t-tliet pinnijiet huma mbagħad E, C, B.

Skond il-pakkett, transistor jista 'jinqasam f'pakkett tal-plastik u pakkett tal-metall.

Skond l-arranġament, transistors jistgħu jinqasmu f'tip NPN u tip PNP.

Ħalli' i nitgħallmu l-prinċipju tax-xogħol tat-transistor. It-transistor tal-kristall jista 'jamplifika l-kurrent żgħir f'kurrent kurrenti. Jekk it-transistor huwa kapaċi għall-amplifikazzjoni tal-kurrent, il-kundizzjonijiet esterni li jridu jiġu sodisfatti huma l-preġudizzju ta 'quddiem tal-ġonta li tittrasmetti u l-preġudizzju invers tal-ġonta tal-kollettur.

Fiċ-ċirkwit tal-amplifikatur, it-triode normalment jaħdem fl-istat amplifikat. Meta t-transistor jaħdem fi stat amplifikat, il-ġonta emittenti hija preġudikata b'mod pożittiv. Il-vultaġġ tat-tubu tas-silikon huwa ta 'madwar 0. 7 V, u l-vultaġġ tat-tubu tal-ġermanju huwa ta' madwar 0. {{{3}} V. Jekk ikun hemm transistor fl-istat tal-cut-off, il-ġonta emittenti hija bias reverse u l-ġonta tal-kollettur bias reverse. Jekk il-potenzjal DC tat-tliet elettrodi ta 'transistor fuq bord taċ-ċirkwit imkejjel mal-art huma VE={{3}} V, VB={{{3}}. 7 V , u VC={{{{9 9}}}}. {{3}} V, it-tubu jaħdem fir-reġjun ta 'saturazzjoni.